Транзистор IRF540


Транзистор IRF540 как и другие n-канальные полевые транзисторы, выполнен по технологии MOSFET (КМОП).

 

Цоколевка транзистора IRF540

Цоколевка транзистора IRF540

 

Электрические характеристики транзистора IRF540

Структура

n-канал

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В

100

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А

28

Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В

±20

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм

77

Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт

150

Крутизна характеристики, S

8.7

Корпус

to220

Пороговое напряжение на затворе

4