Характеристики транзисторов КТ502

КТ502 - транзистор p-n-p (прямой) кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе.

 

Наимен. тип Uкбо(и),В Uкэо(и), В Iкmax(и), мА Pкmax(т), Вт h21э Iкбо, мкА fгр., МГц Кш, Дб
КТ502А
p-n-p
40 25 150(350) 0.35 40-120 <=1 =>350 -
КТ502Б 40 25 150(350) 0.35 80-240 <=1 =>350 -
КТ502В 60 40 150(350) 0.35 40-120 <=1 =>350 -
КТ502Г 60 40 150(350) 0.35 80-240 <=1 =>350 -
КТ502Д 80 60 150(350) 0.35 40-120 <=1 =>350 -
КТ502Е 90 80 150(350) 0.35 40-120 <=1 =>350 -

Корпус:
кт502транзистор типа p-n-p

Uкбо - Максимально допустимое напряжение коллектор-база
Uкбои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
Uкэо - Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер
Uкэои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер
Iкmax - Максимально допустимый постоянный ток коллектора
Iкmax и - Максимально допустимый импульсный ток коллектора
Pкmax - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода
Pкmax т - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом
h21э - Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Iкбо - Обратный ток коллектора
fгр - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
Кш - коэффициент шума биполярного транзистора