Характеристики транзисторов КТ817

КТ817 - транзистор n-p-n (обратный) кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе.

 

Наимен. тип Uкбо(и),В Uкэо(и), В Iкmax(и), мА Pкmax(т), Вт h21э Iкбо, мкА fгр., МГц Uкэн, В
КТ817А
n-p-n
40 40 3000 (6000) 1(25) 25-275 <=100 =>3 <0.6
КТ817Б 45 45 3000 (6000) 1(25) 25-275 <=100 =>3 <0.6
КТ817Б2 45 45 3000 (6000) 1(25) =>100 <=100 =>3 <0.12
КТ817В 60 60 3000 (6000) 1(25) 25-275 <=100 =>3 <0.6
КТ817Г 100 90 3000 (6000) 1(25) 25-275 <=100 =>3 <0.6
КТ817Г2 100 90 3000 (6000) 1(25) =>100 <=100 =>3 <0.12

Корпус:
кт817транзистор типа n-p-n

Uкбо - Максимально допустимое напряжение коллектор-база
Uкбои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
Uкэо - Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер
Uкэои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер
Iкmax - Максимально допустимый постоянный ток коллектора
Iкmax и - Максимально допустимый импульсный ток коллектора
Pкmax - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода
Pкmax т - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом
h21э - Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Iкбо - Обратный ток коллектора
fгр - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
Uкэн - напряжение насыщения коллектор-эмиттер