Характеристики транзисторов КТ819

КТ819 - транзистор n-p-n (обратный) кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе.

 

Наимен. тип Uкбо(и),В Uкэо(и), В Iкmax(и), мА Pкmax(т), Вт h21э Iкбо, мкА fгр., МГц Uкэн, В
КТ819А
n-p-n
40 40 10000 (15000) 1.5(60) 15-225 <=1000 =>3 <2
КТ819Б 50 50 10000 (15000) 1.5(60) 20-225 <=1000 =>3 <2
КТ819В 70 70 10000 (15000) 1.5(60) 15-225 <=1000 =>3 <2
КТ819Г 100 100 10000 (15000) 1.5(60) 12-225 <=1000 =>3 <2

Корпус:
кт819транзистор типа n-p-n

Наимен. тип Uкбо(и),В Uкэо(и), В Iкmax(и), мА Pкmax(т), Вт h21э Iкбо, мкА fгр., МГц Uкэн, В
КТ819АМ
n-p-n
40 40 15000 (20000) 2(100) 15-225 <=1000 =>3 <2
КТ819БМ 50 50 15000 (20000) 2(100) 20-225 <=1000 =>3 <2
КТ819ВМ 70 70 15000 (20000) 2(100) 15-225 <=1000 =>3 <2
КТ819ГМ 100 100 15000 (20000) 2(100) 12-225 <=1000 =>3 <2
2Т819А 100 100 15000 (20000) 3(100) 20-225 <=1000 =>3 <1
2Т819Б 80 80 15000 (20000) 3(100) 20-225 <=1000 =>3 <1
2Т819В 60 60 15000 (20000) 3(100) 20-225 <=1000 =>3 <1

Корпус:
кт819ам

Uкбо - Максимально допустимое напряжение коллектор-база
Uкбои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
Uкэо - Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер
Uкэои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер
Iкmax - Максимально допустимый постоянный ток коллектора
Iкmax и - Максимально допустимый импульсный ток коллектора
Pкmax - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода
Pкmax т - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом
h21э - Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Iкбо - Обратный ток коллектора
fгр - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
Uкэн - напряжение насыщения коллектор-эмиттер