Характеристики транзисторов КТ829

КТ829 - транзистор кремниевый мезапланарный, структуры n-p-n (обратный) составной усилительный.

 

Наимен. тип Uкбо(и),В Uкэо(и), В Iкmax(и), мА Pкmax(т), Вт h21э Iкбо, мкА fгр., МГц Uкэн, В
КТ829А
n-p-n
100 100 8000 (12000) (60) =>750 <=200 =>4 <2
КТ829Б 80 80 8000 (12000) (60) =>750 <=200 =>4 <2
КТ829В 60 60 8000 (12000) (60) =>750 <=200 =>4 <2
КТ829Г 45 45 8000 (12000) (60) =>750 <=200 =>4 <2

Корпус:
кт829транзистор типа n-p-n

Uкбо - Максимально допустимое напряжение коллектор-база
Uкбои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
Uкэо - Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер
Uкэои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер
Iкmax - Максимально допустимый постоянный ток коллектора
Iкmax и - Максимально допустимый импульсный ток коллектора
Pкmax - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода
Pкmax т - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом
h21э - Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Iкбо - Обратный ток коллектора
fгр - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
Uкэн - напряжение насыщения коллектор-эмиттер