Транзистор IRF1010EPBF

Транзистор IRF1010EPBF является мощным N-канальным МОП-транзистором с обратным диодом

цоколевка транзистора IRF1010EPBF

Технические характеристики транзистора IRF1010EPBF:

Структура

n-канал

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В

60 В

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А

84 А

Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.012 ом при 50a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 200
Крутизна характеристики, S 69
Корпус to220ab

 

цоколевка транзистора IRF1010EPBF

Технические характеристики транзистора IRF1010NPBF:

Структура

n-канал

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В

55 В

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А

84 А

Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.011 ом при 43a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 170
Крутизна характеристики, S 30
Корпус to220ab

 

цоколевка транзистора AUIRF1010

Технические характеристики транзистора IRF1010SPBF:

Структура

n-канал

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В

55 В

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А

85 А

Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.011 ом при 43a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 180
Корпус d2pak

 

цоколевка транзистора AUIRF1010

Технические характеристики транзистора IRF1010ZSPBF:

Структура

n-канал

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В

55 В

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А

75 А

Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0075 ом при 75a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 140
Корпус d2pak