Транзистор IRF5210

Транзистор IRF5210 является мощным N-канальным МОП-транзистором с обратным диодом

цоколевка транзистора IRF5210

Технические характеристики транзистора IRF5210PBF:

Структура

n-канал

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В

100 В

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А

40 А

Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.06 ом при 38a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 200
Крутизна характеристики, S 10
Корпус to220ab

 

цоколевка транзистора IRF5210LPBF

Технические характеристики транзистора IRF5210LPBF:

Структура

n-канал

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В

100 В

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А

40 А

Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.06 ом при 38a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 200
Крутизна характеристики, S 10
Корпус to262

 

цоколевка транзистора IRF5210SPBF

Технические характеристики транзистора IRF5210SPBF:

Структура

n-канал

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В

100 В

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А

40 А

Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.06 ом при 38a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 200
Крутизна характеристики, S 10
Корпус d2pak