Транзистор IRF530

Транзистор IRF530 является мощным N-канальным МОП-транзистором с обратным диодом

цоколевка транзистора IRF530NPBF

Технические характеристики транзистора IRF530NPBF:

Структура

n-канал

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В

100 В

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А

17 А

Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.09 ом при 9a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 70
Крутизна характеристики, S 12
Корпус to220ab

 

цоколевка транзистора IRF530NSPBF

Технические характеристики транзистора IRF530NSPBF:

Структура

n-канал

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В

100 В

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А

17 А

Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.09 ом при 9a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 70
Крутизна характеристики, S 12
Корпус d2pak