Транзистор IRF640

Транзистор IRF640 является мощным N-канальным МОП-транзистором с обратным диодом

цоколевка транзистора IRF640NPBF

Технические характеристики транзистора IRF640NPBF:

Структура

n-канал

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В

200 В

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А

18 А

Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.15 ом при 11a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 150
Крутизна характеристики, S 6.8
Корпус to220ab

 

цоколевка транзистора IRF640NSPBF

Технические характеристики транзистора IRF640NSPBF:

Структура

n-канал

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В

200 В

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А

18 А

Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.15 ом при 11a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 150
Крутизна характеристики, S 6.8
Корпус d2pak